SI4808DY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4808DY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54497 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI4808DY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:LITTLE FOOT®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 7.5A, 10V
Power - Max:1.1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.7A
Email:[email protected]

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