SI4453DY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4453DY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
39726 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI4453DY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 600µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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