SI1023X-T1-GE3
SI1023X-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1023X-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45126 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI1023X-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-89-6
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Power - Max:250mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SI1023X-T1-GE3DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:370mA
Número da peça base:SI1023
Email:[email protected]

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