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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > SG2803J-883B
SG2803J-883B
SG2803J-883B
Modelo do Produto:
SG2803J-883B
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
56635 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SG2803J-883B.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:8 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:18-CDIP
Série:-
Power - Max:-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:-
Outros nomes:1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
Q11657753
SG2803J883B
Temperatura de operação:-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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