SE30AFJHM3J/6A está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SE30AFJHM3J/6A, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SE30AFJHM3J/6A por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SE30AFJHM3J/6A com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
SE30AFJHM3J/6A
- Modelo do Produto:
- SE30AFJHM3J/6A
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC
- Quantidade em estoque:
- 46150 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SE30AFJHM3J/6A.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.1V @ 3A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-221AC (SlimSMA) |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, PAR®, SlimSMA™ |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 1.5µs |
| Caixa / Gabinete: | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição detalhada: | Diode Standard 600V 3A (DC) Surface Mount DO-221AC (SlimSMA) |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 3A (DC) |
| Capacitância @ Vr, F: | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SE30AFJHM3J/6A
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash