SCT3030KLGC11
SCT3030KLGC11
Modelo do Produto:
SCT3030KLGC11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31943 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.SCT3030KLGC11.pdf2.SCT3030KLGC11.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5.6V @ 13.3mA
Vgs (Max):+22V, -4V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247N
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:39 mOhm @ 27A, 18V
Dissipação de energia (Max):339W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2222pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:131nC @ 18V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):18V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V
Descrição detalhada:N-Channel 1200V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:72A (Tc)
Email:[email protected]

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