SCD334K202A3Z25-F está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SCD334K202A3Z25-F, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SCD334K202A3Z25-F por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SCD334K202A3Z25-F com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
SCD334K202A3Z25-F
- Modelo do Produto:
- SCD334K202A3Z25-F
- Fabricante:
- Cornell Dubilier Electronics
- Descrição:
- CAP FILM 0.33UF 10% 2KVDC SCREW
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47570 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SCD334K202A3Z25-F.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Regime de tensão - DC: | 2000V (2kV) |
| Regime de tensão - AC: | 630V |
| Tolerância: | ±10% |
| terminação: | Screw Terminals |
| Tamanho / Dimensão: | 1.776" L x 1.272" W (45.10mm x 32.30mm) |
| Série: | SCD |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Rectangular Box |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 85°C |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Espaçamento de condutor: | 1.000" (25.40mm) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 1.402" (35.60mm) |
| Características: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 13 mOhms |
| material dieléctrico: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Descrição detalhada: | 0.33µF Film Capacitor 630V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box |
| capacidade: | 0.33µF |
| aplicações: | Snubber |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SCD334K202A3Z25-F
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC