RWR89NR301DSS70 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para RWR89NR301DSS70, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para RWR89NR301DSS70 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre RWR89NR301DSS70 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
RWR89NR301DSS70
- Modelo do Produto:
- RWR89NR301DSS70
- Fabricante:
- Dale / Vishay
- Descrição:
- RES 0.301 OHM 3W 0.5% WW AXIAL
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 33084 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RWR89NR301DSS70.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±0.5% |
| Coeficiente de temperatura: | ±650ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Axial |
| Tamanho / Dimensão: | 0.187" Dia x 0.560" L (4.75mm x 14.22mm) |
| Série: | Military, MIL-PRF-39007, RWR89N |
| Modo de painel: | 301 mOhms |
| Potência (Watts): | 3W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | Axial |
| Outros nomes: | RWR89NR301DSS70-MIL |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 250°C |
| Número de terminações: | 2 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 17 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Sentado (Max): | - |
| Características: | Military, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| Taxa de falha: | S (0.001%) |
| Descrição detalhada: | 301 mOhms ±0.5% 3W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant, Non-Inductive Wirewound |
| Composição: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para RWR89NR301DSS70
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash