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RN2318(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- RN2318(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 29614 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RN2318(TE85L,F).pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | USM |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Power - Max: | 100mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-70, SOT-323 |
| Outros nomes: | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | RN231* |
| Email: | [email protected] |
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