RGW80TK65DGVC11
RGW80TK65DGVC11
Modelo do Produto:
RGW80TK65DGVC11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
28112 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
RGW80TK65DGVC11.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.9V @ 15V, 40A
Condição de teste:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:44ns/143ns
Alternando Energia:760µJ (on), 720µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PFM
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):92ns
Power - Max:81W
Caixa / Gabinete:TO-3PFM, SC-93-3
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:110nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 39A 81W Through Hole TO-3PFM
Atual - Collector Pulsada (ICM):160A
Atual - Collector (Ic) (Max):39A
Email:[email protected]

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