RB088T100HZC9
RB088T100HZC9
Modelo do Produto:
RB088T100HZC9
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
SCHOTTKY BARRIER DIODE
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
42489 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.RB088T100HZC9.pdf2.RB088T100HZC9.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:870mV @ 5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220FN
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Automotive, AEC-Q101
Inversa de tempo de recuperação (trr):8.2ns
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky
configuração de diodo:1 Pair Common Cathode
Descrição detalhada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):10A
Email:[email protected]

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