R6007ENJTL
R6007ENJTL
Modelo do Produto:
R6007ENJTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45240 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.R6007ENJTL.pdf2.R6007ENJTL.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LPTS (D2PAK)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:620 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:R6007ENJTLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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