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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PUMH19,115
PUMH19,115
PUMH19,115
Modelo do Produto:
PUMH19,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
20705 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PUMH19,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSSOP
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):-
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:934057901115
PUMH19 T/R
PUMH19 T/R-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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