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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PUMF12,115
PUMF12,115
PUMF12,115
Modelo do Produto:
PUMF12,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46501 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PUMF12,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V, 40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSSOP
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:1727-2418-2
568-12717-2
568-12717-2-ND
934057332115
PUMF12 T/R
PUMF12 T/R-ND
PUMF12,115-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:100MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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