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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > PMCPB5530X,115
PMCPB5530X,115
PMCPB5530X,115
Modelo do Produto:
PMCPB5530X,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
34853 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PMCPB5530X,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-HUSON-EP (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:34 mOhm @ 3A, 4.5V
Power - Max:490mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:1727-1327-1
568-10754-1
568-10754-1-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.3A, 3.4A 490mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.3A, 3.4A
Email:[email protected]

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