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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PIMD2,125
PIMD2,125
PIMD2,125
Modelo do Produto:
PIMD2,125
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
51435 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PIMD2,125.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:600mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:934057905125
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 600mW Surface Mount 6-TSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:MD2
Email:[email protected]

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