PDTB113ES,126 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para PDTB113ES,126, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para PDTB113ES,126 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre PDTB113ES,126 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
PDTB113ES,126
- Modelo do Produto:
- PDTB113ES,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 33136 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- PDTB113ES,126.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 1 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 1 kOhms |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | 934059144126 PDTB113ES AMO PDTB113ES AMO-ND |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 33 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número da peça base: | PDTB113 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para PDTB113ES,126
Latest Notícias
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial