PDTA123ETVL está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para PDTA123ETVL, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para PDTA123ETVL por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre PDTA123ETVL com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
PDTA123ETVL
- Modelo do Produto:
- PDTA123ETVL
- Fabricante:
- Nexperia
- Descrição:
- PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 57604 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- PDTA123ETVL.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-236AB |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | 934054696235 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA Surface Mount TO-236AB |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 20mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para PDTA123ETVL
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga