PAT1206E5052BST1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para PAT1206E5052BST1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para PAT1206E5052BST1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre PAT1206E5052BST1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
PAT1206E5052BST1
- Modelo do Produto:
- PAT1206E5052BST1
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- RES SMD 50.5K OHM 0.1% 0.4W 1206
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40423 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- PAT1206E5052BST1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±0.1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±25ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 1206 |
| Tamanho / Dimensão: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Série: | PAT |
| Modo de painel: | 50.5 kOhms |
| Potência (Watts): | 0.4W, 2/5W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 1206 (3216 Metric) |
| Outros nomes: | PAT50.5KCTR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 155°C |
| Número de terminações: | 2 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.018" (0.46mm) |
| Características: | Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant |
| Taxa de falha: | - |
| Descrição detalhada: | 50.5 kOhms ±0.1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant Thin Film |
| Composição: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para PAT1206E5052BST1
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash