P0473T está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para P0473T, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para P0473T por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre P0473T com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
P0473T
- Modelo do Produto:
- P0473T
- Fabricante:
- Pulse Electronics Corporation
- Descrição:
- COMMON MODE CHOKE 1.63A 2LN SMD
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 55429 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- P0473T.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Regime de tensão - DC: | - |
| Regime de tensão - AC: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 0.500" L x 0.500" W (12.70mm x 12.70mm) |
| Série: | - |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | Horizontal, 4 PC Pad |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 120°C |
| Número de linhas: | 2 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura (Max): | 0.220" (5.59mm) |
| Tipo de filtro: | Power Line |
| Características: | - |
| Descrição detalhada: | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 1.63A DCR 110 mOhm |
| Resistência DC (DCR) (máx.): | 110 mOhm |
| Cartão Espessura (mm): | 1.63A |
| aprovações: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para P0473T
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica