NVTFS5124PLTWG
NVTFS5124PLTWG
Modelo do Produto:
NVTFS5124PLTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
48131 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NVTFS5124PLTWG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-WDFN (3.3x3.3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:260 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):3W (Ta), 18W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:NVTFS5124PLTWG-ND
NVTFS5124PLTWGOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:50 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:P-Channel 60V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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