NVT2006BSHP está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para NVT2006BSHP, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para NVT2006BSHP por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre NVT2006BSHP com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
NVT2006BSHP
- Modelo do Produto:
- NVT2006BSHP
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- IC TRNSLTR BIDIR 16DHVQFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 39044 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NVT2006BSHP.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - VCCB: | 1.8V ~ 5.5V |
| Voltagem - VCCA: | 1V ~ 3.6V |
| Tipo de Tradutor: | Voltage Level |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 16-DHVQFN (2.5x3.5) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo de saída: | Open Drain, Push-Pull |
| Sinal de saída: | - |
| Outros nomes: | 935292073128 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Sinal de entrada: | - |
| Características: | Auto-Direction Sensing |
| Descrição detalhada: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 6 Channel 16-DHVQFN (2.5x3.5) |
| Taxa de dados: | - |
| Canais por Circuito: | 6 |
| Base-saturação do emissor Tensão (Max): | Bidirectional |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NVT2006BSHP
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC