NVMFS6B05NLT1G
NVMFS6B05NLT1G
Modelo do Produto:
NVMFS6B05NLT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
Status sem chumbo:
Lead free / RoHS non-compliant
Quantidade em estoque:
47640 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NVMFS6B05NLT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.8W (Ta), 165W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 3.8W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Email:[email protected]

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