NTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G
Modelo do Produto:
NTJD1155LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
42210 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTJD1155LT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power - Max:400mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:NTJD1155LT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:50 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A
Número da peça base:NTJD1155
Email:[email protected]

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