NP5Q064AE3ESFC0E está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para NP5Q064AE3ESFC0E, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para NP5Q064AE3ESFC0E por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre NP5Q064AE3ESFC0E com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
NP5Q064AE3ESFC0E
- Modelo do Produto:
- NP5Q064AE3ESFC0E
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descrição:
- IC PCM 64M SPI 16SO W
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 38370 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NP5Q064AE3ESFC0E.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 280µs |
| Tensão - Fornecimento: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | PCM (PRAM) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 16-SO W |
| Série: | Omneo™ |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 64Mb (8M x 8) |
| Interface de memória: | SPI |
| Formato de memória: | PCM (PRAM) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | PCM (PRAM) Memory IC 64Mb (8M x 8) SPI 66MHz 16-SO W |
| Freqüência de relógio: | 66MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NP5Q064AE3ESFC0E
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC