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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NP0G1AE00A
NP0G1AE00A
NP0G1AE00A
Modelo do Produto:
NP0G1AE00A
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
37660 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NP0G1AE00A.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SSSMini6-F1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Power - Max:125mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-963
Outros nomes:NP0G1AE00ATR
NPOG1AE00A
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 80mA 80MHz 125mW Surface Mount SSSMini6-F1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):80mA
Número da peça base:NP0G1AE
Email:[email protected]

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