NLCV32T-R33M-PFRD está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para NLCV32T-R33M-PFRD, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para NLCV32T-R33M-PFRD por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre NLCV32T-R33M-PFRD com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
NLCV32T-R33M-PFRD
- Modelo do Produto:
- NLCV32T-R33M-PFRD
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descrição:
- FIXED IND 330NH 2.1A 42 MOHM SMD
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40991 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NLCV32T-R33M-PFRD.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | Wirewound |
| Tolerância: | ±20% |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 1210 (3225 Metric) |
| Tamanho / Dimensão: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| blindagem: | Unshielded |
| Série: | NLCV-PFD |
| classificações: | AEC-Q200 |
| Q @ Freq: | 10 @ 25.2MHz |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 1210 (3225 Metric) |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | Ferrite |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência de Indutância - Teste: | 25.2MHz |
| Indutância: | 330nH |
| Altura - Sentado (Max): | 0.094" (2.40mm) |
| Frequência - auto-ressonante: | 300MHz |
| Descrição detalhada: | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 42 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| Resistência DC (DCR): | 42 mOhm Max |
| Potência nominal: | 2.1A |
| Atual - Saturação: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NLCV32T-R33M-PFRD
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga