NLAS3699BMN1R2G está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para NLAS3699BMN1R2G, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para NLAS3699BMN1R2G por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre NLAS3699BMN1R2G com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
NLAS3699BMN1R2G
- Modelo do Produto:
- NLAS3699BMN1R2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 37555 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NLAS3699BMN1R2G.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Alimentação de tensão, simples (V +): | 1.65 V ~ 4.5 V |
| Tensão de alimentação, Dual (V ±): | - |
| Tempo de comutação (Ton, Toff) (máx.): | 50ns, 50ns |
| Circuito de comutação: | DPDT |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 16-QFN (3x3) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | NLAS3699BMN1R2G-ND NLAS3699BMN1R2GOSTR |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistência no estado (máx.): | 550 mOhm |
| Número de circuitos: | 2 |
| Circuito Multiplexador / Demultiplexor: | 2:2 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | 2 Circuit IC Switch 2:2 550 mOhm 16-QFN (3x3) |
| Corrente - Vazamento (IS (desligado)) (Máx.): | 500nA |
| Crosstalk: | -62dB @ 100kHz |
| Injeção de Carga: | 50pC |
| Correspondência canal a canal (ΔRon): | 50 mOhm |
| Capacitação do canal (CS (desligado), CD (desligado)): | 7pF |
| Número da peça base: | NLAS3699B |
| -3db Bandwidth: | 20MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NLAS3699BMN1R2G
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade