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NGTD13T65F2WP
- Modelo do Produto:
- NGTD13T65F2WP
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 42498 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NGTD13T65F2WP.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 650V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.2V @ 15V, 30A |
| Condição de teste: | - |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | - |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | - |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 21 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrição detalhada: | IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 120A |
| Email: | [email protected] |
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