NGTB50N65FL2WAG
Modelo do Produto:
NGTB50N65FL2WAG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
30507 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NGTB50N65FL2WAG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2V @ 15V, 50A
Condição de teste:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:23ns/123ns
Alternando Energia:420µJ (on), 550µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-4L
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):94ns
Power - Max:417W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-4
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Field Stop
portão de carga:215nC
Descrição detalhada:IGBT Field Stop 650V 160A 417W Through Hole TO-247-4L
Atual - Collector Pulsada (ICM):160A
Atual - Collector (Ic) (Max):160A
Email:[email protected]

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