NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A
Modelo do Produto:
NE3515S02-T1C-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrição:
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
36052 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.NE3515S02-T1C-A.pdf2.NE3515S02-T1C-A.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Teste:2V
Tensão - M:4V
Tipo transistor:HFET
Embalagem do dispositivo fornecedor:S02
Série:-
Potência:14dBm
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-SMD, Flat Leads
Outros nomes:NE3515S02-T1C-A-ND
NE3515S02-T1C-ATR
NE3515S02T1CA
Fator de ruído:0.3dB
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:12.5dB
Freqüência:12GHz
Descrição detalhada:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
Potência nominal:88mA
Atual - Teste:10mA
Número da peça base:NE3515
Email:[email protected]

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