NDS356AP
Modelo do Produto:
NDS356AP
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
21247 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.NDS356AP.pdf2.NDS356AP.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:200 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:NDS356APCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.4nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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