NDC652P
NDC652P
Modelo do Produto:
NDC652P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46968 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NDC652P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):-20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT™-6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:NDC652PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 2.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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