NCP18XH103E03RB está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para NCP18XH103E03RB, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para NCP18XH103E03RB por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre NCP18XH103E03RB com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
NCP18XH103E03RB
- Modelo do Produto:
- NCP18XH103E03RB
- Fabricante:
- Murata Electronics
- Descrição:
- THERMISTOR NTC 10KOHM 3380K 0603
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 45233 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NCP18XH103E03RB.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Série: | NCP18 |
| Resistência em Ohms @ 25 ° C: | 10k |
| Tolerância resistência: | ±3% |
| Power - Max: | 100mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 0603 (1608 Metric) |
| Outros nomes: | 490-8458-6 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Comprimento - fio condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | NTC Thermistor 10k 0603 (1608 Metric) |
| B25 / 85: | 3434K |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | 3380K |
| B25 / 100: | 3455K |
| B0 / 50: | - |
| Tolerância B Valor: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NCP18XH103E03RB
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica