MT46H8M16LFCF-75 IT está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MT46H8M16LFCF-75 IT, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MT46H8M16LFCF-75 IT por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MT46H8M16LFCF-75 IT com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MT46H8M16LFCF-75 IT
- Modelo do Produto:
- MT46H8M16LFCF-75 IT
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descrição:
- IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 21937 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MT46H8M16LFCF-75 IT.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 15ns |
| Tensão - Fornecimento: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 60-VFBGA (8x10) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 60-VFBGA |
| Outros nomes: | MT46H8M16LFCF-75 IT-ND MT46H8M16LFCF-75IT |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 128Mb (8M x 16) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | DRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 6.0ns 60-VFBGA (8x10) |
| Freqüência de relógio: | 133MHz |
| Número da peça base: | MT46H8M16 |
| Tempo de acesso: | 6.0ns |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MT46H8M16LFCF-75 IT
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC