MT41K512M8RH-107 IT:E está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MT41K512M8RH-107 IT:E, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MT41K512M8RH-107 IT:E por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MT41K512M8RH-107 IT:E com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MT41K512M8RH-107 IT:E
- Modelo do Produto:
- MT41K512M8RH-107 IT:E
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descrição:
- IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53836 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MT41K512M8RH-107 IT:E.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Tecnologia: | SDRAM - DDR3L |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 78-FBGA (9x10.5) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 78-TFBGA |
| Outros nomes: | MT41K512M8RH-107 IT:E-ND MT41K512M8RH-107IT:E |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 4Gb (512M x 8) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | DRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5) |
| Freqüência de relógio: | 933MHz |
| Número da peça base: | MT41K512M8 |
| Tempo de acesso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MT41K512M8RH-107 IT:E
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga