MT3S111(TE85L,F) está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MT3S111(TE85L,F), temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MT3S111(TE85L,F) por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MT3S111(TE85L,F) com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MT3S111(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- MT3S111(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 48639 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MT3S111(TE85L,F).pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 6V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | S-Mini |
| Série: | - |
| Power - Max: | 700mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | MT3S111(TE85LF)DKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | 1.2dB @ 1GHz |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 12dB |
| Frequência - Transição: | 11.5GHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 30mA, 5V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MT3S111(TE85L,F)
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica