MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
- Modelo do Produto:
- MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descrição:
- IC FLASH 2G SPI 8UPDFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 38553 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-U-PDFN (8x6) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 8-UDFN |
| Outros nomes: | 557-1664-6 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 2Gb (2G x 1) |
| Interface de memória: | SPI |
| Formato de memória: | FLASH |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (2G x 1) SPI 8-U-PDFN (8x6) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade