MSRT200160(A)D
MSRT200160(A)D
Modelo do Produto:
MSRT200160(A)D
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
28329 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MSRT200160(A)D.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.1V @ 200A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Three Tower
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Three Tower
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
configuração de diodo:1 Pair Series Connection
Descrição detalhada:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600V 200A Chassis Mount Three Tower
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 1600V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):200A
Email:[email protected]

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