MSP430AFE233IPWR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MSP430AFE233IPWR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MSP430AFE233IPWR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MSP430AFE233IPWR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MSP430AFE233IPWR
- Modelo do Produto:
- MSP430AFE233IPWR
- Fabricante:
- TI
- Descrição:
- IC MCU 16BIT 8KB FLASH 24TSSOP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 52213 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MSP430AFE233IPWR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Abastecimento (Vcc / VDD): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 24-TSSOP |
| Velocidade: | 12MHz |
| Série: | MSP430F2xx |
| Tamanho RAM: | 512 x 8 |
| Tipo de memória do programa: | FLASH |
| Tamanho da memória do programa: | 8KB (8K x 8) |
| periféricos: | Brown-out Detect/Reset, PWM, WDT |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Outros nomes: | 296-40407-2 MSP430AFE233IPWR-ND |
| Tipo de oscilador: | Internal |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de E / S: | 11 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM Tamanho: | - |
| Descrição detalhada: | MSP430 MSP430F2xx Microcontroller IC 16-Bit 12MHz 8KB (8K x 8) FLASH 24-TSSOP |
| conversores de dados: | A/D 3x24b |
| Tamanho central: | 16-Bit |
| core Processor: | MSP430 |
| conectividade: | SPI, UART/USART |
| Número da peça base: | MSP430AFE233 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MSP430AFE233IPWR
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash