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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - RF > MS1006
MS1006
Modelo do Produto:
MS1006
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
RF POWER TRANSISTOR
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
29914 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MS1006.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):55V
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:M135
Série:-
Power - Max:127W
Caixa / Gabinete:M135
Temperatura de operação:200°C
Fator de ruído (dB Typ @ f):-
Tipo de montagem:Stud Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:14dB
Frequência - Transição:30MHz
Descrição detalhada:RF Transistor NPN 55V 3.25A 30MHz 127W Stud Mount M135
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:19 @ 1.4A, 6V
Atual - Collector (Ic) (Max):3.25A
Email:[email protected]

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