MAL212314151E3 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MAL212314151E3, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MAL212314151E3 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MAL212314151E3 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MAL212314151E3
- Modelo do Produto:
- MAL212314151E3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- CAP ALUM 150UF 20% 10V AXIAL
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 42177 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MAL212314151E3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 10V |
| Tolerância: | ±20% |
| Superfície Tamanho Mount Terra: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 0.370" Dia x 0.917" L (9.40mm x 23.30mm) |
| Série: | SAL-A 123 |
| classificações: | - |
| Polarização: | - |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | Axial, Can |
| Outros nomes: | 2222 123 14151 222212314151 2281 123 14151 2281 123 14151-ND 4275PHTB MAL212314151 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lifetime @ Temp.: | 20000 Hrs @ 125°C |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedância: | 400 mOhms |
| Altura - Sentado (Max): | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 900 mOhm |
| Descrição detalhada: | 150µF 10V Aluminum Electrolytic Capacitors Axial, Can 900 mOhm 20000 Hrs @ 125°C |
| capacidade: | 150µF |
| aplicações: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MAL212314151E3
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC