MAF1608FAD151CT000 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MAF1608FAD151CT000, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MAF1608FAD151CT000 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MAF1608FAD151CT000 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MAF1608FAD151CT000
- Modelo do Produto:
- MAF1608FAD151CT000
- Fabricante:
- TDK Corporation
- Descrição:
- FERRITE BEAD 150 OHM 0603 1LN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 44887 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.MAF1608FAD151CT000.pdf2.MAF1608FAD151CT000.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tamanho / Dimensão: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Série: | MAF |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 0603 (1608 Metric) |
| Outros nomes: | 445-174936-1 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Número de linhas: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedância @ Frequency: | 150 Ohms @ 100MHz |
| Altura (Max): | 0.037" (0.95mm) |
| Tipo de filtro: | Signal Line |
| Resistência DC (DCR) (máx.): | 130 mOhm |
| Cartão Espessura (mm): | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MAF1608FAD151CT000
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC