M74HCT244B1R está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para M74HCT244B1R, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para M74HCT244B1R por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre M74HCT244B1R com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
M74HCT244B1R
- Modelo do Produto:
- M74HCT244B1R
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição:
- IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20DIP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 34588 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- M74HCT244B1R.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 20-DIP |
| Série: | 74HCT |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tipo de saída: | 3-State |
| Outros nomes: | 497-1903-5 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Número de Elementos: | 2 |
| Número de bits por elemento: | 4 |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de lógica: | Buffer, Non-Inverting |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | - |
| Descrição detalhada: | Buffer, Non-Inverting 2 Element 4 Bit per Element 3-State Output 20-DIP |
| Atual - Saída Alto, Baixo: | 6mA, 6mA |
| Número da peça base: | 74HCT244 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para M74HCT244B1R
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica