LQW03AW5N1J00D está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para LQW03AW5N1J00D, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para LQW03AW5N1J00D por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre LQW03AW5N1J00D com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
LQW03AW5N1J00D
- Modelo do Produto:
- LQW03AW5N1J00D
- Fabricante:
- Murata Electronics
- Descrição:
- FIXED IND 5.1NH 480MA 140 MOHM
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 48069 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.LQW03AW5N1J00D.pdf2.LQW03AW5N1J00D.pdf3.LQW03AW5N1J00D.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | Wirewound |
| Tolerância: | ±5% |
| Tamanho / Dimensão: | 0.021" L x 0.016" W (0.53mm x 0.40mm) |
| blindagem: | Unshielded |
| Série: | LQW03 |
| classificações: | - |
| Q @ Freq: | 45 @ 900MHz |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | Nonstandard |
| Outros nomes: | 490-13839-1 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | - |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 9 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência de Indutância - Teste: | 100MHz |
| Indutância: | 5.1nH |
| Altura - Sentado (Max): | 0.018" (0.45mm) |
| Frequência - auto-ressonante: | 9.5GHz |
| Descrição detalhada: | 5.1nH Unshielded Wirewound Inductor 480mA 140 mOhm Max Nonstandard |
| Resistência DC (DCR): | 140 mOhm Max |
| Potência nominal: | 480mA |
| Atual - Saturação: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para LQW03AW5N1J00D
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga