LH28F320S3NS-L11 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para LH28F320S3NS-L11, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para LH28F320S3NS-L11 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre LH28F320S3NS-L11 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
LH28F320S3NS-L11
- Modelo do Produto:
- LH28F320S3NS-L11
- Fabricante:
- Sharp Microelectronics
- Descrição:
- IC FLASH 32M PARALLEL 56SSOP
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 39867 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- LH28F320S3NS-L11.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 90ns |
| Tensão - Fornecimento: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 56-SSOP |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 56-SOP (0.524", 13.30mm Width) |
| Outros nomes: | 425-1844 LHF32K01 |
| Temperatura de operação: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | FLASH |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrição detalhada: | FLASH Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 90ns 56-SSOP |
| Tempo de acesso: | 90ns |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para LH28F320S3NS-L11
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica