KSB1098YTU está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para KSB1098YTU, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para KSB1098YTU por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre KSB1098YTU com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
KSB1098YTU
- Modelo do Produto:
- KSB1098YTU
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220F
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 32654 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- KSB1098YTU.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 3mA, 3A |
| Tipo transistor: | PNP - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220F |
| Série: | - |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 5A 2W Through Hole TO-220F |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 5000 @ 3A, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para KSB1098YTU
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica