JANTX2N5012S está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para JANTX2N5012S, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para JANTX2N5012S por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre JANTX2N5012S com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
JANTX2N5012S
- Modelo do Produto:
- JANTX2N5012S
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- PNP TRANSISTOR
- Status sem chumbo:
- RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 25354 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- JANTX2N5012S.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 700V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-39 (TO-205AD) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/727 |
| Status de RoHS: | RoHS non-compliant |
| Power - Max: | 1W |
| Caixa / Gabinete: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 25mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para JANTX2N5012S
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC