JANTX1N5809US
Modelo do Produto:
JANTX1N5809US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
28951 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
JANTX1N5809US.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:875mV @ 4A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:B, SQ-MELF
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/477
Inversa de tempo de recuperação (trr):30ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, B
Outros nomes:1086-2484
1086-2484-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io):3A
Capacitância @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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