IXTX32P60P
IXTX32P60P
Modelo do Produto:
IXTX32P60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46357 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTX32P60P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:PolarP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:350 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):890W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:P-Channel 600V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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